量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2011年
2期
234-240
,共7页
宁凯杰%张庆礼%孙敦陆%殷绍唐
寧凱傑%張慶禮%孫敦陸%慇紹唐
저개걸%장경례%손돈륙%은소당
材料%Yb3+:GdGaGe2O7%X射线衍射%光致发光%晶场能级
材料%Yb3+:GdGaGe2O7%X射線衍射%光緻髮光%晶場能級
재료%Yb3+:GdGaGe2O7%X사선연사%광치발광%정장능급
采用固相法制备了10 at%Yb3+:GdGaGe2O7多晶粉体,通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合给出了其空间群为P21/c,晶格常数a、b、c和β,Gd/Yb和Ga的原子坐标,以及Ge1、Ge2、O1～O7的原子坐标.通过吸收谱、激发谱、光致发光谱和Raman光谱确定Yb3+的晶场能级分裂,1003 nm发光在低温(8 K)和室温(300 K)时上能级荧光寿命为0.493 ms和0.774 ms.在室温下测量荧光寿命变长主要由再吸收引起.Yb3+:GdGaGe2O7的吸收和发射光谱均很宽,荧光寿命长,是潜在的全固态激光工作物质.
採用固相法製備瞭10 at%Yb3+:GdGaGe2O7多晶粉體,通過X射線粉末衍射用Rietveld全譜擬閤給齣瞭其空間群為P21/c,晶格常數a、b、c和β,Gd/Yb和Ga的原子坐標,以及Ge1、Ge2、O1～O7的原子坐標.通過吸收譜、激髮譜、光緻髮光譜和Raman光譜確定Yb3+的晶場能級分裂,1003 nm髮光在低溫(8 K)和室溫(300 K)時上能級熒光壽命為0.493 ms和0.774 ms.在室溫下測量熒光壽命變長主要由再吸收引起.Yb3+:GdGaGe2O7的吸收和髮射光譜均很寬,熒光壽命長,是潛在的全固態激光工作物質.
채용고상법제비료10 at%Yb3+:GdGaGe2O7다정분체,통과X사선분말연사용Rietveld전보의합급출료기공간군위P21/c,정격상수a、b、c화β,Gd/Yb화Ga적원자좌표,이급Ge1、Ge2、O1～O7적원자좌표.통과흡수보、격발보、광치발광보화Raman광보학정Yb3+적정장능급분렬,1003 nm발광재저온(8 K)화실온(300 K)시상능급형광수명위0.493 ms화0.774 ms.재실온하측량형광수명변장주요유재흡수인기.Yb3+:GdGaGe2O7적흡수화발사광보균흔관,형광수명장,시잠재적전고태격광공작물질.
