激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2012年
2期
200-203
,共4页
伍瑜%倪演海%戴特力%周勇%秦莉%梁一平%范嗣强%张鹏
伍瑜%倪縯海%戴特力%週勇%秦莉%樑一平%範嗣彊%張鵬
오유%예연해%대특력%주용%진리%량일평%범사강%장붕
激光器%外腔面发射激光器%多量子阱%基质刻蚀%光抽运
激光器%外腔麵髮射激光器%多量子阱%基質刻蝕%光抽運
격광기%외강면발사격광기%다양자정%기질각식%광추운
为了降低光抽运外腔面发射激光器的热效应,提高激光器的输出功率,采用液体毛细键合方法将逆序生长的半导体外延片与高热导率的碳化硅散热窗口键合,并用化学刻蚀方法去除外延片的基质.实验研究了用基质刻蚀的外延片搭建的外腔面发射激光器的性能.当增益介质的有源区为InGaAs/AlGaAs多量子阱、抽运源为808nm的光纤耦合输出半导体激光器,输出镜对激光波长透过率为3％时,在室温下获得TEM00模的最大输出功率0.52W,激光波长1018nm,光谱线宽2nm(半峰全宽),激光器的光光转换效率约为20％.测得x方向与y方向的M2因子分别为1.01和1.00,说明输出光束为质量优良的近衍射极限高斯光束.结果表明,基质刻蚀技术可明显改善外腔面发射激光器的热性能,获得高功率、高光束质量的激光输出.
為瞭降低光抽運外腔麵髮射激光器的熱效應,提高激光器的輸齣功率,採用液體毛細鍵閤方法將逆序生長的半導體外延片與高熱導率的碳化硅散熱窗口鍵閤,併用化學刻蝕方法去除外延片的基質.實驗研究瞭用基質刻蝕的外延片搭建的外腔麵髮射激光器的性能.噹增益介質的有源區為InGaAs/AlGaAs多量子阱、抽運源為808nm的光纖耦閤輸齣半導體激光器,輸齣鏡對激光波長透過率為3％時,在室溫下穫得TEM00模的最大輸齣功率0.52W,激光波長1018nm,光譜線寬2nm(半峰全寬),激光器的光光轉換效率約為20％.測得x方嚮與y方嚮的M2因子分彆為1.01和1.00,說明輸齣光束為質量優良的近衍射極限高斯光束.結果錶明,基質刻蝕技術可明顯改善外腔麵髮射激光器的熱性能,穫得高功率、高光束質量的激光輸齣.
위료강저광추운외강면발사격광기적열효응,제고격광기적수출공솔,채용액체모세건합방법장역서생장적반도체외연편여고열도솔적탄화규산열창구건합,병용화학각식방법거제외연편적기질.실험연구료용기질각식적외연편탑건적외강면발사격광기적성능.당증익개질적유원구위InGaAs/AlGaAs다양자정、추운원위808nm적광섬우합수출반도체격광기,수출경대격광파장투과솔위3％시,재실온하획득TEM00모적최대수출공솔0.52W,격광파장1018nm,광보선관2nm(반봉전관),격광기적광광전환효솔약위20％.측득x방향여y방향적M2인자분별위1.01화1.00,설명수출광속위질량우량적근연사겁한고사광속.결과표명,기질각식기술가명현개선외강면발사격광기적열성능,획득고공솔、고광속질량적격광수출.
