光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2004年
z1期
72-75
,共4页
王蔚%刘晓为%兰慕杰%霍明学
王蔚%劉曉為%蘭慕傑%霍明學
왕위%류효위%란모걸%곽명학
PZT%压电厚膜%丝网印刷%MEMS
PZT%壓電厚膜%絲網印刷%MEMS
PZT%압전후막%사망인쇄%MEMS
丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.
絲網印刷法製備PZT厚膜工藝與MEMS技術兼容.通過調整PZT印刷漿料粘度,併採取多次套印、多次退火及閤理的燒結工藝,在硅膜片上穫得瞭較緻密的PZT厚膜.採用懸臂樑方法對製備的Ag/PZT/SiO2/n+Si結構複閤壓電厚膜進行瞭直接測試,結果錶明PZT壓電厚膜的壓電常數d31可達70×10-12m/V,以此方法製備的壓電厚膜適閤作為MEMS執行器的微驅動元件.
사망인쇄법제비PZT후막공예여MEMS기술겸용.통과조정PZT인쇄장료점도,병채취다차투인、다차퇴화급합리적소결공예,재규막편상획득료교치밀적PZT후막.채용현비량방법대제비적Ag/PZT/SiO2/n+Si결구복합압전후막진행료직접측시,결과표명PZT압전후막적압전상수d31가체70×10-12m/V,이차방법제비적압전후막괄합작위MEMS집행기적미구동원건.
