半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
1-4
,共4页
张纪才%王建峰%王玉田%杨辉
張紀纔%王建峰%王玉田%楊輝
장기재%왕건봉%왕옥전%양휘
三轴晶X射线衍射%AlGaN%共格因子%应变%卢瑟福背散射
三軸晶X射線衍射%AlGaN%共格因子%應變%盧瑟福揹散射
삼축정X사선연사%AlGaN%공격인자%응변%로슬복배산사
用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.
用X射線衍射和盧瑟福揹散射方法研究瞭生長在GaN上厚度為570nm的AlxGa1-xN外延層中的應變狀態.實驗結果顯示AlGaN的共格因子在組分小于0.42時隨組分的增加而近似線性減小,併且在0.42時達到30%,此後隨組分的增加變化較慢,在x=1(AlN)時接近0.在本實驗條件中,由于GaN層處于壓應變狀態,導緻與AlGaN外延層的失配變小,使得組分約為0.16的AlxGa1-xN外延層可以共格生長在GaN層上.
용X사선연사화로슬복배산사방법연구료생장재GaN상후도위570nm적AlxGa1-xN외연층중적응변상태.실험결과현시AlGaN적공격인자재조분소우0.42시수조분적증가이근사선성감소,병차재0.42시체도30%,차후수조분적증가변화교만,재x=1(AlN)시접근0.재본실험조건중,유우GaN층처우압응변상태,도치여AlGaN외연층적실배변소,사득조분약위0.16적AlxGa1-xN외연층가이공격생장재GaN층상.
