半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
2期
218-220
,共3页
n-PS/p-PS/Si%TiO2/n-Si/p-Si%n-Si/p-Si%光伏效应
n-PS/p-PS/Si%TiO2/n-Si/p-Si%n-Si/p-Si%光伏效應
n-PS/p-PS/Si%TiO2/n-Si/p-Si%n-Si/p-Si%광복효응
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.
在拋光的p型單晶硅上通過擴散工藝製備pn結,採用此種硅片利用暘極腐蝕法製備多孔硅(PS).用磁控濺射鍍膜機在有pn結的單晶硅錶麵鍍上一層TiO2納米結構薄膜,併用錶麵光電壓譜(SPS)研究瞭n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的錶麵光伏特性.結果錶明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效應比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃熱處理溫度範圍內TiO2/n-Si/p-Si的光伏效應隨溫度的升高而增彊,600～800 ℃範圍內隨溫度的升高而降低.
재포광적p형단정규상통과확산공예제비pn결,채용차충규편이용양겁부식법제비다공규(PS).용자공천사도막궤재유pn결적단정규표면도상일층TiO2납미결구박막,병용표면광전압보(SPS)연구료n-PS/p-PS/Si화TiO2/n-Si/p-Si적표면광복특성.결과표명TiO2/n-Si/p-Si화n-PS/p-PS/Si적광복효응비n-Si/p-Si재불동정도상유소제고.재300～600 ℃열처리온도범위내TiO2/n-Si/p-Si적광복효응수온도적승고이증강,600～800 ℃범위내수온도적승고이강저.
