固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
115-118
,共4页
声表面波器件%P矩阵%声电再生
聲錶麵波器件%P矩陣%聲電再生
성표면파기건%P구진%성전재생
在128°旋转Y切割X传播方向上的LiNbO基片上设计并研制了Y型声表面波器件.它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出.应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的一次时延信号、三次渡越反射信号和五次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并应用网络分析仪测量Y型声表面波器件幅度特性,结果表明,理论分析与实验结果基本相符.
在128°鏇轉Y切割X傳播方嚮上的LiNbO基片上設計併研製瞭Y型聲錶麵波器件.它將輸入IDT激髮的聲錶麵波軸對稱分成兩路併由各自的輸齣IDT檢測輸齣.應用P矩陣法分析瞭其中一輸齣IDT檢測輸齣的一次時延信號、三次渡越反射信號和五次渡越反射信號與輸入IDT所加的電信號之間的關繫式,併應用網絡分析儀測量Y型聲錶麵波器件幅度特性,結果錶明,理論分析與實驗結果基本相符.
재128°선전Y절할X전파방향상적LiNbO기편상설계병연제료Y형성표면파기건.타장수입IDT격발적성표면파축대칭분성량로병유각자적수출IDT검측수출.응용P구진법분석료기중일수출IDT검측수출적일차시연신호、삼차도월반사신호화오차도월반사신호여수입IDT소가적전신호지간적관계식,병응용망락분석의측량Y형성표면파기건폭도특성,결과표명,이론분석여실험결과기본상부.
