半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
770-773
,共4页
闾锦%陈裕斌%左正%施毅%濮林%郑有炓
閭錦%陳裕斌%左正%施毅%濮林%鄭有炓
려금%진유빈%좌정%시의%복림%정유료
异质纳米晶%非易失浮栅存储器%电容,电压特性,自组织生长,选择化学刻蚀
異質納米晶%非易失浮柵存儲器%電容,電壓特性,自組織生長,選擇化學刻蝕
이질납미정%비역실부책존저기%전용,전압특성,자조직생장,선택화학각식
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
利用自組織生長和選擇化學刻蝕方法在超薄SiO2隧穿氧化層上製備瞭漸變鍺硅異質納米晶,併通過電容.電壓特性和電容-時間特性研究瞭該納米結構浮柵存儲器的存儲特性.測試結果錶明,該異質納米晶非易失浮柵存儲器具有良好的空穴存儲特性,這是由于漸變鍺硅異質納米晶中Ge的價帶高于Si的價帶形成瞭複閤勢壘,空穴有效地存儲在複閤勢壘的Ge的一側.
이용자조직생장화선택화학각식방법재초박SiO2수천양화층상제비료점변타규이질납미정,병통과전용.전압특성화전용-시간특성연구료해납미결구부책존저기적존저특성.측시결과표명,해이질납미정비역실부책존저기구유량호적공혈존저특성,저시유우점변타규이질납미정중Ge적개대고우Si적개대형성료복합세루,공혈유효지존저재복합세루적Ge적일측.
