真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
6期
566-569
,共4页
林清耿%郜小勇%刘玉芬%卢景霄
林清耿%郜小勇%劉玉芬%盧景霄
림청경%고소용%류옥분%로경소
中频直流反应磁控溅射%掺铝氧化锌薄膜%C轴择优取向%吸收边
中頻直流反應磁控濺射%摻鋁氧化鋅薄膜%C軸擇優取嚮%吸收邊
중빈직류반응자공천사%참려양화자박막%C축택우취향%흡수변
利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜.利用x射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(002)c轴择优取向.随着衬底温度由210~C升高到270~C,AZO薄膜的电阻率从7.5×1013Qcm降低到2.5×10-3cm.高于270~C后,电阻率又略有升高.电阻率的变化趋势可从薄膜微观结构的角度得到合理解释.随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边先发生了蓝移.高于270%后,又发生了红移.利用Burstein-Moss效应分析了AZO薄膜吸收边的蓝移和红移.该结果和电阻率的结果相印证.
利用中頻直流磁控反應濺射法(MF-DC-MS)在玻璃襯底上製備瞭摻鋁氧化鋅(AZO)透明導電薄膜.利用x射線衍射(XRD)、四探針法和分光光度計深入研究瞭襯底溫度對AZO薄膜的結構、電學和光學特性的影響.研究結果錶明3h的沉積使AZO薄膜喪失瞭(002)c軸擇優取嚮.隨著襯底溫度由210~C升高到270~C,AZO薄膜的電阻率從7.5×1013Qcm降低到2.5×10-3cm.高于270~C後,電阻率又略有升高.電阻率的變化趨勢可從薄膜微觀結構的角度得到閤理解釋.隨著襯底溫度的升高,AZO薄膜的吸收邊先髮生瞭藍移.高于270%後,又髮生瞭紅移.利用Burstein-Moss效應分析瞭AZO薄膜吸收邊的藍移和紅移.該結果和電阻率的結果相印證.
이용중빈직류자공반응천사법(MF-DC-MS)재파리츤저상제비료참려양화자(AZO)투명도전박막.이용x사선연사(XRD)、사탐침법화분광광도계심입연구료츤저온도대AZO박막적결구、전학화광학특성적영향.연구결과표명3h적침적사AZO박막상실료(002)c축택우취향.수착츤저온도유210~C승고도270~C,AZO박막적전조솔종7.5×1013Qcm강저도2.5×10-3cm.고우270~C후,전조솔우략유승고.전조솔적변화추세가종박막미관결구적각도득도합리해석.수착츤저온도적승고,AZO박막적흡수변선발생료람이.고우270%후,우발생료홍이.이용Burstein-Moss효응분석료AZO박막흡수변적람이화홍이.해결과화전조솔적결과상인증.
