半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
517-521
,共5页
雷耀虎%郭金川%赵志刚%牛憨笨
雷耀虎%郭金川%趙誌剛%牛憨笨
뢰요호%곽금천%조지강%우감분
光照%电化学刻蚀%扩散%n型硅
光照%電化學刻蝕%擴散%n型硅
광조%전화학각식%확산%n형규
光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一.由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视.从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响.着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响.理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大.为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术.
光助電化學刻蝕技術是目前穫取高深寬比微納結構的重要方法之一.由于其製作成本低、三維結構形貌可光控實現而受到重視.從實際應用齣髮,對Lehmann光照模型和電流密度經驗公式進行瞭脩正,併從理論和實驗上研究瞭光照對電化學刻蝕過程和結構形貌的影響.著重分析瞭光照紅移帶來的正麵效果和負麵影響.理論分析和實驗均證明,採用提齣的脩正模型,可以方便地實現對厚度為400～500μm的Si片深刻蝕,併可在刻蝕深度為150μm的情況下,實現壁厚在0.2μm到數微米的控製,Si片刻蝕麵的直徑可達5英吋(125 mm)或更大.為該技術的實現提供瞭脩正的理論模型和實用化的工藝技術.
광조전화학각식기술시목전획취고심관비미납결구적중요방법지일.유우기제작성본저、삼유결구형모가광공실현이수도중시.종실제응용출발,대Lehmann광조모형화전류밀도경험공식진행료수정,병종이론화실험상연구료광조대전화학각식과정화결구형모적영향.착중분석료광조홍이대래적정면효과화부면영향.이론분석화실험균증명,채용제출적수정모형,가이방편지실현대후도위400～500μm적Si편심각식,병가재각식심도위150μm적정황하,실현벽후재0.2μm도수미미적공제,Si편각식면적직경가체5영촌(125 mm)혹경대.위해기술적실현제공료수정적이론모형화실용화적공예기술.
