纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2010年
4期
352-355
,共4页
原子力显微镜(AFM)%动态电场%诱导氧化%纳米加工%电流分析
原子力顯微鏡(AFM)%動態電場%誘導氧化%納米加工%電流分析
원자력현미경(AFM)%동태전장%유도양화%납미가공%전류분석
对Si表面动态电场作用下利用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)诱导氧化加工进行了实验研究,通过监测加工过程中的电流变化进行了加工机理和工艺的分析.施加的动态电场为方波,频率范围为1 Hz～10MHz.获得的氧化物高度为1 nm～2 nm.实验结果表明氧化加工过程中,探针、氧化物和Si之间构成了导体-绝缘体-半导体隧道结,其电容效应会影响氧化物的继续生成.采用调制电压进行诱导氧化加工可以提高氧化物的生长速度和优化氧化物的纵横比.实验得出采用频率约为10～100 Hz的调制电压,可获得最优的纵横比.
對Si錶麵動態電場作用下利用原子力顯微鏡(atomic force microscope,AFM)誘導氧化加工進行瞭實驗研究,通過鑑測加工過程中的電流變化進行瞭加工機理和工藝的分析.施加的動態電場為方波,頻率範圍為1 Hz～10MHz.穫得的氧化物高度為1 nm～2 nm.實驗結果錶明氧化加工過程中,探針、氧化物和Si之間構成瞭導體-絕緣體-半導體隧道結,其電容效應會影響氧化物的繼續生成.採用調製電壓進行誘導氧化加工可以提高氧化物的生長速度和優化氧化物的縱橫比.實驗得齣採用頻率約為10～100 Hz的調製電壓,可穫得最優的縱橫比.
대Si표면동태전장작용하이용원자력현미경(atomic force microscope,AFM)유도양화가공진행료실험연구,통과감측가공과정중적전류변화진행료가공궤리화공예적분석.시가적동태전장위방파,빈솔범위위1 Hz～10MHz.획득적양화물고도위1 nm～2 nm.실험결과표명양화가공과정중,탐침、양화물화Si지간구성료도체-절연체-반도체수도결,기전용효응회영향양화물적계속생성.채용조제전압진행유도양화가공가이제고양화물적생장속도화우화양화물적종횡비.실험득출채용빈솔약위10～100 Hz적조제전압,가획득최우적종횡비.
