CAJ | 학술논문

采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了原位CdTe钝化的n+-on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-v)和动态阻抗与电压(R-v)特性曲线中,发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍,零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍.对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵,原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能.
채용분자속외연(MBE)기술재표면생장제화력(CdTe)개질막적p형제력홍(HgCdTe)재료,병통과리자주입구적광각、폭로HgCdTe표면적창구부식、주입조당층류화자(ZnS)적생장、형성p-n결적B+주입、주입조당층적거제、절연개질막ZnS적생장、금속화화인주렬진적제비등공예,득도료원위CdTe둔화적n+-on-p평면형HgCdTe홍외광전이겁관렬진.종온도위78 K적전류여전압(I-v)화동태조항여전압(R-v)특성곡선중,발현원위CdTe둔화적광전이겁관렬진적령편동태조항비비원위CdTe둔화적제고료1～2배,령편압부근적반향편압위치적동태조항겁대치심지제고료30～40배.대우공작재반향소편압부근적광전이겁관렬진,원위CdTe둔화방법비상유리우제고장파광전이겁관적탐측성능.