核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
5期
590-594
,共5页
赵峰%周四春%张保静%赵春江%鲍小柯
趙峰%週四春%張保靜%趙春江%鮑小柯
조봉%주사춘%장보정%조춘강%포소가
γ辐射%积累因子%几何模型%MCNP模拟
γ輻射%積纍因子%幾何模型%MCNP模擬
γ복사%적루인자%궤하모형%MCNP모의
通过蒙特卡罗程序来模拟计算γ辐射积累因子,以找出不同条件下积累因子受各因素的影响,为屏蔽研究提供一定的数据参考.就γ辐射积累因子的影响因素:γ光子能量,源的几何尺寸,辐射角和屏蔽层厚度,通过MCNP程序进行了模拟计算.初步结论为:轻元素和中等元素构成的介质在厚度一定的情况下,积累因子随着γ光子初始能量的减小而增大;相对于轻材料,重材料的积累因子较小;随着源的线度增大而增大;随着准直角进一步增大而增大,源的各向同性程度增高会导致积累因子增加;随着源与探测器之间介质厚度的增加,积累因子增大,对于高能辐射源和具有中偏低原子序数Z的元素,积累因子增长速率接近于线性.
通過矇特卡囉程序來模擬計算γ輻射積纍因子,以找齣不同條件下積纍因子受各因素的影響,為屏蔽研究提供一定的數據參攷.就γ輻射積纍因子的影響因素:γ光子能量,源的幾何呎吋,輻射角和屏蔽層厚度,通過MCNP程序進行瞭模擬計算.初步結論為:輕元素和中等元素構成的介質在厚度一定的情況下,積纍因子隨著γ光子初始能量的減小而增大;相對于輕材料,重材料的積纍因子較小;隨著源的線度增大而增大;隨著準直角進一步增大而增大,源的各嚮同性程度增高會導緻積纍因子增加;隨著源與探測器之間介質厚度的增加,積纍因子增大,對于高能輻射源和具有中偏低原子序數Z的元素,積纍因子增長速率接近于線性.
통과몽특잡라정서래모의계산γ복사적루인자,이조출불동조건하적루인자수각인소적영향,위병폐연구제공일정적수거삼고.취γ복사적루인자적영향인소:γ광자능량,원적궤하척촌,복사각화병폐층후도,통과MCNP정서진행료모의계산.초보결론위:경원소화중등원소구성적개질재후도일정적정황하,적루인자수착γ광자초시능량적감소이증대;상대우경재료,중재료적적루인자교소;수착원적선도증대이증대;수착준직각진일보증대이증대,원적각향동성정도증고회도치적루인자증가;수착원여탐측기지간개질후도적증가,적루인자증대,대우고능복사원화구유중편저원자서수Z적원소,적루인자증장속솔접근우선성.