微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2012年
3期
1-3,6
,共4页
反应离子刻蚀%二氧化硅%刻蚀速率%优化工艺
反應離子刻蝕%二氧化硅%刻蝕速率%優化工藝
반응리자각식%이양화규%각식속솔%우화공예
采用CHF3、CF4、CHF3+ CF4、CHF3+O2和CF4+ O2五种工艺气体体系对二氧化硅( SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响.通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4％、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺.
採用CHF3、CF4、CHF3+ CF4、CHF3+O2和CF4+ O2五種工藝氣體體繫對二氧化硅( SiO2)作反應離子刻蝕實驗,在確定最優刻蝕氣體基礎上,研究射頻功率和氣體流量配比對刻蝕速率、均勻性和選擇比等主要刻蝕參數的影響.通過對實驗結果比較分析,確定瞭刻蝕速率79nm/min、非均勻性4％、對光刻膠的選擇比0.81的優化工藝.
채용CHF3、CF4、CHF3+ CF4、CHF3+O2화CF4+ O2오충공예기체체계대이양화규( SiO2)작반응리자각식실험,재학정최우각식기체기출상,연구사빈공솔화기체류량배비대각식속솔、균균성화선택비등주요각식삼수적영향.통과대실험결과비교분석,학정료각식속솔79nm/min、비균균성4％、대광각효적선택비0.81적우화공예.
