光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2004年
1期
1-4,39
,共5页
冯伯儒%张锦%宗德蓉%刘娟%陈宝钦%刘明
馮伯儒%張錦%宗德蓉%劉娟%陳寶欽%劉明
풍백유%장금%종덕용%류연%진보흠%류명
激光光刻技术%相移掩模%准分子光刻
激光光刻技術%相移掩模%準分子光刻
격광광각기술%상이엄모%준분자광각
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术.对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究.研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形.
用于100nm節點ArF準分子激光光刻的相移掩模(PSM)技術主要有無鉻相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰減相移掩模(AttPSM)和混閤相移掩模技術.對這些掩模的基本原理、製作方法及性能比較進行瞭分析研究.研究錶明,無鉻相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相結閤構成的混閤掩模最適閤用于193nmArF光刻,以產生100nm節點抗蝕劑圖形.
용우100nm절점ArF준분자격광광각적상이엄모(PSM)기술주요유무락상이엄모(CPM),교체상이엄모(APSM)、쇠감상이엄모(AttPSM)화혼합상이엄모기술.대저사엄모적기본원리、제작방법급성능비교진행료분석연구.연구표명,무락상위광각(CPL)PSM화고투AttPSM 상결합구성적혼합엄모최괄합용우193nmArF광각,이산생100nm절점항식제도형.
