半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
2期
77-79
,共3页
陈宏泰%花吉珍%家秀云%陈玉娟%沈牧
陳宏泰%花吉珍%傢秀雲%陳玉娟%瀋牧
진굉태%화길진%가수운%진옥연%침목
半导体激光器%阵列%锁相%反射率
半導體激光器%陣列%鎖相%反射率
반도체격광기%진렬%쇄상%반사솔
光束质量问题是制约半导体激光器应用的主要因素,采用出光面蒸镀低反膜LD阵列半导体激光器阵列锁相技术较好地解决了这个问题.本文设计并制作了高反膜系和极低反膜系,获得了高阈值的LD阵列.本文的低反膜系有大的带宽和小于0.2%的剩余反射率,易于工艺实现,LD阵列的阈值电流密度达到480A/cm2.
光束質量問題是製約半導體激光器應用的主要因素,採用齣光麵蒸鍍低反膜LD陣列半導體激光器陣列鎖相技術較好地解決瞭這箇問題.本文設計併製作瞭高反膜繫和極低反膜繫,穫得瞭高閾值的LD陣列.本文的低反膜繫有大的帶寬和小于0.2%的剩餘反射率,易于工藝實現,LD陣列的閾值電流密度達到480A/cm2.
광속질량문제시제약반도체격광기응용적주요인소,채용출광면증도저반막LD진렬반도체격광기진렬쇄상기술교호지해결료저개문제.본문설계병제작료고반막계화겁저반막계,획득료고역치적LD진렬.본문적저반막계유대적대관화소우0.2%적잉여반사솔,역우공예실현,LD진렬적역치전류밀도체도480A/cm2.
