半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
794-797
,共4页
季振国%刘坤%向因%宋永梁%叶志镇
季振國%劉坤%嚮因%宋永樑%葉誌鎮
계진국%류곤%향인%송영량%협지진
硅酸锌%硅基光电%光致发光谱%固相反应
硅痠鋅%硅基光電%光緻髮光譜%固相反應
규산자%규기광전%광치발광보%고상반응
采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光光谱分析表明,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射.由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定,可以与硅集成电路工艺兼容,而且发光强度高,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景.
採用與硅集成工藝相兼容的固相反應方法在硅襯底上製備瞭未經摻雜及摻錳的硅痠鋅薄膜.XRD測試和UV-Vis吸收譜測試證明在高于880℃的溫度下熱處理,可以穫得結晶狀態很好的硅痠鋅薄膜.光緻髮光光譜分析錶明,未摻雜的薄膜在紫外波段有較弱的髮射,而摻錳的硅痠鋅薄膜在可見光波段有很彊的光緻髮射.由于硅痠鋅薄膜在高溫下非常穩定,可以與硅集成電路工藝兼容,而且髮光彊度高,因此在製作硅基光電集成器件方麵有非常大的應用前景.
채용여규집성공예상겸용적고상반응방법재규츤저상제비료미경참잡급참맹적규산자박막.XRD측시화UV-Vis흡수보측시증명재고우880℃적온도하열처리,가이획득결정상태흔호적규산자박막.광치발광광보분석표명,미참잡적박막재자외파단유교약적발사,이참맹적규산자박막재가견광파단유흔강적광치발사.유우규산자박막재고온하비상은정,가이여규집성전로공예겸용,이차발광강도고,인차재제작규기광전집성기건방면유비상대적응용전경.
