半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
4期
338-341,349
,共5页
郑建邦%汪远%任驹%侯超奇
鄭建邦%汪遠%任駒%侯超奇
정건방%왕원%임구%후초기
非线性光学材料%酞菁铜%聚酰亚胺%气相沉积
非線性光學材料%酞菁銅%聚酰亞胺%氣相沉積
비선성광학재료%태정동%취선아알%기상침적
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜、均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150℃～200℃真空加热亚胺化1 h后得到了成膜性良好的均匀含酞菁铜聚酰亚胺薄膜.红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外-可见光吸收分析表明含酞菁铜聚酰亚胺薄膜在可见光区、近红外区具有较强的吸收,热失重分析表明所制备的含酞菁铜聚酰亚胺具有良好的热稳定性能;用简并四波混频方法测得薄膜的三阶非线性极化率为1.984×10-9esu,表现出良好的三阶非线性特性.
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁銅、均苯四甲痠酐和二氨基二苯醚為原料,通過控製三源單體的加入摩爾計量、加熱時間和沉積速率,在玻璃襯底上閤成瞭含酞菁銅的聚酰胺痠,再經150℃～200℃真空加熱亞胺化1 h後得到瞭成膜性良好的均勻含酞菁銅聚酰亞胺薄膜.紅外譜圖證實瞭所閤成產物的結構,紫外-可見光吸收分析錶明含酞菁銅聚酰亞胺薄膜在可見光區、近紅外區具有較彊的吸收,熱失重分析錶明所製備的含酞菁銅聚酰亞胺具有良好的熱穩定性能;用簡併四波混頻方法測得薄膜的三階非線性極化率為1.984×10-9esu,錶現齣良好的三階非線性特性.
재2×10-3Pa진공도하,이태정동、균분사갑산항화이안기이분미위원료,통과공제삼원단체적가입마이계량、가열시간화침적속솔,재파리츤저상합성료함태정동적취선알산,재경150℃～200℃진공가열아알화1 h후득도료성막성량호적균균함태정동취선아알박막.홍외보도증실료소합성산물적결구,자외-가견광흡수분석표명함태정동취선아알박막재가견광구、근홍외구구유교강적흡수,열실중분석표명소제비적함태정동취선아알구유량호적열은정성능;용간병사파혼빈방법측득박막적삼계비선성겁화솔위1.984×10-9esu,표현출량호적삼계비선성특성.
