半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
4期
303-306
,共4页
葛兆云%林理彬%彭能岭%孙可煦%黄天暄
葛兆雲%林理彬%彭能嶺%孫可煦%黃天暄
갈조운%림리빈%팽능령%손가후%황천훤
砷化镓%光电导探测器%质子改性
砷化鎵%光電導探測器%質子改性
신화가%광전도탐측기%질자개성
介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能.
介紹瞭未改性的砷化鎵光電導探測器以及經過兩束不同能量的質子改性後的砷化鎵探測器對X射線的響應,併對它們的輸齣波形與經過電子改性後的探測器的輸齣波形進行瞭比較,結果錶明,經過雙束質子輻照後的探測器的性能有較大的改善,雙束質子改性較電子改性後的探測器有較好的性能.
개소료미개성적신화가광전도탐측기이급경과량속불동능량적질자개성후적신화가탐측기대X사선적향응,병대타문적수출파형여경과전자개성후적탐측기적수출파형진행료비교,결과표명,경과쌍속질자복조후적탐측기적성능유교대적개선,쌍속질자개성교전자개성후적탐측기유교호적성능.
