安徽师范大学学报(自然科学版)
安徽師範大學學報(自然科學版)
안휘사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF ANHUI NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2007年
1期
45-48
,共4页
孔明光%刘小网%耿保友%张年荣
孔明光%劉小網%耿保友%張年榮
공명광%류소망%경보우%장년영
氧化物%半导体%纳米线%化学气相沉积(CVD)%荧光光谱
氧化物%半導體%納米線%化學氣相沉積(CVD)%熒光光譜
양화물%반도체%납미선%화학기상침적(CVD)%형광광보
在氩气气氛中,利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法,控制温度在650℃时,获得了大量的六方相ZnO纳米线,直径约40nm,这和先前报道的制备ZnO纳米线的方法相比,温度降低了大约200℃-300℃.纳米线的生长过程中遵循气-固相生长机制.荧光光谱表明产物具有两个发射带,一个处于紫外波段,另一个处在绿光发射带.
在氬氣氣氛中,利用物理蒸髮高純Zn粉和SiO2納米粉混閤物的方法,控製溫度在650℃時,穫得瞭大量的六方相ZnO納米線,直徑約40nm,這和先前報道的製備ZnO納米線的方法相比,溫度降低瞭大約200℃-300℃.納米線的生長過程中遵循氣-固相生長機製.熒光光譜錶明產物具有兩箇髮射帶,一箇處于紫外波段,另一箇處在綠光髮射帶.
재아기기분중,이용물리증발고순Zn분화SiO2납미분혼합물적방법,공제온도재650℃시,획득료대량적륙방상ZnO납미선,직경약40nm,저화선전보도적제비ZnO납미선적방법상비,온도강저료대약200℃-300℃.납미선적생장과정중준순기-고상생장궤제.형광광보표명산물구유량개발사대,일개처우자외파단,령일개처재록광발사대.
