安徽大学学报（自然科学版）
安徽大學學報（自然科學版）
안휘대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF ANHUI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2012年
2期
43-47
,共5页
部分重叠双栅%分裂双栅%短沟效应%栅电容%沟道表面电场
部分重疊雙柵%分裂雙柵%短溝效應%柵電容%溝道錶麵電場
부분중첩쌍책%분렬쌍책%단구효응%책전용%구도표면전장
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.
研究一種具有部分重疊雙柵結構MOSFET器件模型,併將其與類似的分裂雙柵結構MOSFET及普通柵結構MOSFET器件進行比較,利用MEDICI軟件對該結構進行倣真.通過倣真可知:部分重疊雙柵MOSFET器件通過溝道電場的調節,可降低短溝效應和等效柵電容、提高擊穿電壓,跨導可由柵壓調節,閾值電壓隨溝道縮短而下降的變化率在文中討論的3種結構中最小.
연구일충구유부분중첩쌍책결구MOSFET기건모형,병장기여유사적분렬쌍책결구MOSFET급보통책결구MOSFET기건진행비교,이용MEDICI연건대해결구진행방진.통과방진가지:부분중첩쌍책MOSFET기건통과구도전장적조절,가강저단구효응화등효책전용、제고격천전압,과도가유책압조절,역치전압수구도축단이하강적변화솔재문중토론적3충결구중최소.
