半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2002年
11期
11-14
,共4页
茅惠兵%忻佩胜%胡梅丽%赖宗声
茅惠兵%忻珮勝%鬍梅麗%賴宗聲
모혜병%흔패성%호매려%뢰종성
微机械%微波/射频开关%悬臂梁%共平面波导
微機械%微波/射頻開關%懸臂樑%共平麵波導
미궤계%미파/사빈개관%현비량%공평면파도
讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试.微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层.功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性.
討論瞭微機械微波/射頻開關的原理、製備工藝和功能測試.微機械接觸式微波/射頻開關的基本結構是微波共平麵波導,在製備工藝中首先攷慮的是工藝兼容性,為此選擇以PECVD生長的氮化硅為懸臂樑,聚酰亞胺為犧牲層.功能測試錶明,該工藝製備的微機械開關的執行電壓隻有25V,優于同類微機械開關的指標,同時它具有良好的響應特性.
토론료미궤계미파/사빈개관적원리、제비공예화공능측시.미궤계접촉식미파/사빈개관적기본결구시미파공평면파도,재제비공예중수선고필적시공예겸용성,위차선택이PECVD생장적담화규위현비량,취선아알위희생층.공능측시표명,해공예제비적미궤계개관적집행전압지유25V,우우동류미궤계개관적지표,동시타구유량호적향응특성.
