半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
6期
12-14
,共3页
何维%林理彬%朱佳政%卢勇%陈军
何維%林理彬%硃佳政%盧勇%陳軍
하유%림리빈%주가정%로용%진군
晶闸管%双束质子辐照%通态压降%开关时间
晶閘管%雙束質子輻照%通態壓降%開關時間
정갑관%쌍속질자복조%통태압강%개관시간
在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管.对KK200A半成品晶闸管进行能量3.5MeV和5.0MeV注量为2.5×1011p/cm2的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用5.0MeV后用3.5MeV能量注量都为2.5×1011p/cm2的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比,发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间,而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越.
在分析晶閘管通態壓降產生的機理的基礎上,從協調開關時間與通態壓降關繫入手提齣瞭採用雙束質子輻照晶閘管.對KK200A半成品晶閘管進行能量3.5MeV和5.0MeV註量為2.5×1011p/cm2的單束質子輻照晶閘管所得的晶閘管的電學參數與先用5.0MeV後用3.5MeV能量註量都為2.5×1011p/cm2的雙束質子輻照的晶閘管所得的電學參數進行瞭對比,髮現雙束質子輻照不僅能有效地縮短晶閘管的開關時間,而且在降低快速晶閘管的通態壓降方麵比單束質子輻照的晶閘管優越.
재분석정갑관통태압강산생적궤리적기출상,종협조개관시간여통태압강관계입수제출료채용쌍속질자복조정갑관.대KK200A반성품정갑관진행능량3.5MeV화5.0MeV주량위2.5×1011p/cm2적단속질자복조정갑관소득적정갑관적전학삼수여선용5.0MeV후용3.5MeV능량주량도위2.5×1011p/cm2적쌍속질자복조적정갑관소득적전학삼수진행료대비,발현쌍속질자복조불부능유효지축단정갑관적개관시간,이차재강저쾌속정갑관적통태압강방면비단속질자복조적정갑관우월.
