电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
9期
6-8
,共3页
杨春霞%周洪庆%刘敏%吴红忠%朱海奎%蒋微波
楊春霞%週洪慶%劉敏%吳紅忠%硃海奎%蔣微波
양춘하%주홍경%류민%오홍충%주해규%장미파
无机陶瓷材料%钛酸锶钡/氧化镁%稀土氧化物掺杂%移相器%介电性能
無機陶瓷材料%鈦痠鍶鋇/氧化鎂%稀土氧化物摻雜%移相器%介電性能
무궤도자재료%태산송패/양화미%희토양화물참잡%이상기%개전성능
为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10 kHz)与高频(2.5 GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求:10 kHz下,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz下,tgδ = 6.7×10-3.
為瞭提高移相器性能,通過摻雜的方法研究瞭La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物對BSTO/MgO鐵電移相材料低頻(10 kHz)與高頻(2.5 GHz左右)相對介電常數εr、介質損耗tgδ和調諧性T等的影響,併對影響機理作瞭初步探討.結果錶明,摻雜摩爾分數為0.5%La2O3的BSTO/MgO繫統基本上達到瞭相控陣移相器在高頻下工作的要求:10 kHz下,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz下,tgδ = 6.7×10-3.
위료제고이상기성능,통과참잡적방법연구료La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2등희토양화물대BSTO/MgO철전이상재료저빈(10 kHz)여고빈(2.5 GHz좌우)상대개전상수εr、개질손모tgδ화조해성T등적영향,병대영향궤리작료초보탐토.결과표명,참잡마이분수위0.5%La2O3적BSTO/MgO계통기본상체도료상공진이상기재고빈하공작적요구:10 kHz하,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz하,tgδ = 6.7×10-3.
