物理学报
物理學報
물이학보
2005年
11期
5301-5307
,共7页
MgS%第一性原理赝势平面波方法%电子结构%转化压力
MgS%第一性原理贗勢平麵波方法%電子結構%轉化壓力
MgS%제일성원리안세평면파방법%전자결구%전화압력
采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.
採用基于密度汎函理論(DFT)基礎上的第一性原理贗勢平麵波方法對MgS晶體四種構型(B1,B2,B3,B4)的體相性質進行瞭繫統研究.計算結果錶明,B1構型的晶體是間接帶隙型半導體,而B2,B3和B4構型的晶體則是直接帶隙型材料,其中B2構型的帶隙寬度最窄,其值為0.42eV.在壓力不超過200.3GPa時,B1構型的MgS晶胞是最穩定的,噹壓力大于該值時,會髮生B1構型到B2構型的轉化.
채용기우밀도범함이론(DFT)기출상적제일성원리안세평면파방법대MgS정체사충구형(B1,B2,B3,B4)적체상성질진행료계통연구.계산결과표명,B1구형적정체시간접대극형반도체,이B2,B3화B4구형적정체칙시직접대극형재료,기중B2구형적대극관도최착,기치위0.42eV.재압력불초과200.3GPa시,B1구형적MgS정포시최은정적,당압력대우해치시,회발생B1구형도B2구형적전화.
