高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2006年
1期
104-107
,共4页
多孔薄膜%低介电常数%旋转涂布
多孔薄膜%低介電常數%鏇轉塗佈
다공박막%저개전상수%선전도포
利用硅烷偶联剂KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷(POSS)溶胶为模板剂, 经热解制备低介电多孔薄膜材料. 使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究, 通过 29Si NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征. 制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1 nm, 比表面积为384.1 m2/g, 介电常数为2.5的低.
利用硅烷偶聯劑KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解縮閤生成的多麵低聚倍半硅氧烷(POSS)溶膠為模闆劑, 經熱解製備低介電多孔薄膜材料. 使用FTIR對材料製備過程及形成機製進行動態研究, 通過 29Si NMR、橢偏儀、氮氣吸脫附麯線和TEM等對材料的介電性質、孔洞大小和分佈情況進行錶徵. 製備的介電多孔薄膜材料孔洞分佈均勻、孔徑約1 nm, 比錶麵積為384.1 m2/g, 介電常數為2.5的低.
이용규완우련제KH-570(γ-갑기병희선양기갑양기규완)수해축합생성적다면저취배반규양완(POSS)용효위모판제, 경열해제비저개전다공박막재료. 사용FTIR대재료제비과정급형성궤제진행동태연구, 통과 29Si NMR、타편의、담기흡탈부곡선화TEM등대재료적개전성질、공동대소화분포정황진행표정. 제비적개전다공박막재료공동분포균균、공경약1 nm, 비표면적위384.1 m2/g, 개전상수위2.5적저.
