光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
4期
506-508
,共3页
李树强%夏伟%马德营%张新%徐现刚%蒋民华
李樹彊%夏偉%馬德營%張新%徐現剛%蔣民華
리수강%하위%마덕영%장신%서현강%장민화
发光二极管(LED)%反向击穿电压%多量子阱(MQW)%PIN结构
髮光二極管(LED)%反嚮擊穿電壓%多量子阱(MQW)%PIN結構
발광이겁관(LED)%반향격천전압%다양자정(MQW)%PIN결구
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性.通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合.同时获得了AlGaInP MQW结构的临界反向击穿电场强度数值.这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考.
通過利用突變結PIN理想結構電場分佈模型,分析瞭該結構髮光二極管(LED)反嚮擊穿電壓與非故意摻雜有源區厚度的線性相關性.通過利用LP-MOCVD技術生長瞭不同厚度多量子阱(MQW)有源區AlGaInP LED,測量瞭器件的反嚮擊穿特徵,測試結果與理論分析非常吻閤.同時穫得瞭AlGaInP MQW結構的臨界反嚮擊穿電場彊度數值.這些結果可以作為具有PIN結構的LED性能優化的重要參攷.
통과이용돌변결PIN이상결구전장분포모형,분석료해결구발광이겁관(LED)반향격천전압여비고의참잡유원구후도적선성상관성.통과이용LP-MOCVD기술생장료불동후도다양자정(MQW)유원구AlGaInP LED,측량료기건적반향격천특정,측시결과여이론분석비상문합.동시획득료AlGaInP MQW결구적림계반향격천전장강도수치.저사결과가이작위구유PIN결구적LED성능우화적중요삼고.
