半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
11期
2011-2014
,共4页
王小东%吴旭明%王青%曹玉莲%何国荣%谭满清
王小東%吳旭明%王青%曹玉蓮%何國榮%譚滿清
왕소동%오욱명%왕청%조옥련%하국영%담만청
垂直腔面发射激光器%DBR%反射谱%反射相移%特征矩阵法
垂直腔麵髮射激光器%DBR%反射譜%反射相移%特徵矩陣法
수직강면발사격광기%DBR%반사보%반사상이%특정구진법
通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.
通過數值分析研究瞭含線性漸變層的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光學特性及其對VCSEL諧振腔光學特性的影響,建立瞭漸變型DBR漸變層厚度與摺射率的關繫,通過特徵矩陣法計算瞭突變GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和漸變型DBR的反射譜和反射相移,分析瞭漸變層對DBR反射率和反射相移的影響.對漸變型DBR,要使VCSEL諧振腔滿足中心波長相位匹配條件,還需要在DBR靠近諧振腔一側的最前麵增加一定厚度的漸變層,稱為相位匹配層.通過計算,我們得到瞭使VCSEL諧振腔滿足相位匹配條件時均勻層和相位匹配層的厚度.
통과수치분석연구료함선성점변층적Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR적광학특성급기대VCSEL해진강광학특성적영향,건립료점변형DBR점변층후도여절사솔적관계,통과특정구진법계산료돌변GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR화점변형DBR적반사보화반사상이,분석료점변층대DBR반사솔화반사상이적영향.대점변형DBR,요사VCSEL해진강만족중심파장상위필배조건,환수요재DBR고근해진강일측적최전면증가일정후도적점변층,칭위상위필배층.통과계산,아문득도료사VCSEL해진강만족상위필배조건시균균층화상위필배층적후도.
