原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2010年
4期
775-780
,共6页
孔鹏%王菡%王薇%程剑%陈宗正%李星海
孔鵬%王菡%王薇%程劍%陳宗正%李星海
공붕%왕함%왕미%정검%진종정%리성해
双层石墨烯%B/N掺杂%电子特性%第一性原理
雙層石墨烯%B/N摻雜%電子特性%第一性原理
쌍층석묵희%B/N참잡%전자특성%제일성원리
利用平面波超软赝势方法研究了B/N原子单掺杂和共掺杂对双层石墨烯电子特性的影响.对掺杂双层石墨烯进行结构优化,并计算了能带结构、态密度、分波态密度等.分析表明,层间范德瓦尔斯相互作用对双层石墨烯的电子特性有比较明显的影响;B/N原子单掺杂分别对应p型和n型掺杂,会使掺杂片层的能带平移,使得体系能带结构产生较大分裂;双层掺杂的石墨烯能带结构与掺杂原子的相对位置和距离有关,对电子特性有明显的调控作用.其中特别有意义的是,B/N双层共掺杂在不同位置情况下会得到金属性或禁带宽度约为0.3 eV的半导体能带.
利用平麵波超軟贗勢方法研究瞭B/N原子單摻雜和共摻雜對雙層石墨烯電子特性的影響.對摻雜雙層石墨烯進行結構優化,併計算瞭能帶結構、態密度、分波態密度等.分析錶明,層間範德瓦爾斯相互作用對雙層石墨烯的電子特性有比較明顯的影響;B/N原子單摻雜分彆對應p型和n型摻雜,會使摻雜片層的能帶平移,使得體繫能帶結構產生較大分裂;雙層摻雜的石墨烯能帶結構與摻雜原子的相對位置和距離有關,對電子特性有明顯的調控作用.其中特彆有意義的是,B/N雙層共摻雜在不同位置情況下會得到金屬性或禁帶寬度約為0.3 eV的半導體能帶.
이용평면파초연안세방법연구료B/N원자단참잡화공참잡대쌍층석묵희전자특성적영향.대참잡쌍층석묵희진행결구우화,병계산료능대결구、태밀도、분파태밀도등.분석표명,층간범덕와이사상호작용대쌍층석묵희적전자특성유비교명현적영향;B/N원자단참잡분별대응p형화n형참잡,회사참잡편층적능대평이,사득체계능대결구산생교대분렬;쌍층참잡적석묵희능대결구여참잡원자적상대위치화거리유관,대전자특성유명현적조공작용.기중특별유의의적시,B/N쌍층공참잡재불동위치정황하회득도금속성혹금대관도약위0.3 eV적반도체능대.
