传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2003年
4期
8-10
,共3页
赵智昊%陈俊芳%黄钊洪%吴先球%熊予莹
趙智昊%陳俊芳%黃釗洪%吳先毬%熊予瑩
조지호%진준방%황쇠홍%오선구%웅여형
等离子体%干法刻蚀%样品%锑化铟-铟薄膜
等離子體%榦法刻蝕%樣品%銻化銦-銦薄膜
등리자체%간법각식%양품%제화인-인박막
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb-In薄膜进行刻蚀.
用朗繆爾探針診斷瞭反應室內的等離子體密度,研究瞭CCl2F2等離子體對InSb-In薄膜的刻蝕,結果錶明該實驗裝置能夠產生高密度等離子體,在刻蝕樣品錶麵等離子體密度達到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等離子體能有效地對InSb-In薄膜進行刻蝕.
용랑무이탐침진단료반응실내적등리자체밀도,연구료CCl2F2등리자체대InSb-In박막적각식,결과표명해실험장치능구산생고밀도등리자체,재각식양품표면등리자체밀도체도6.7170×1010cm-3,CCl2F2등리자체능유효지대InSb-In박막진행각식.
