固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
4期
526-531
,共6页
刘键%黄榕旭%蒋聚小%郑国祥
劉鍵%黃榕旭%蔣聚小%鄭國祥
류건%황용욱%장취소%정국상
互连薄膜%晶粒生长%表面能%对数正态分布
互連薄膜%晶粒生長%錶麵能%對數正態分佈
호련박막%정립생장%표면능%대수정태분포
通过研究不同淀积温度下铝互连薄膜的晶粒形态,研究晶粒的生长规律.建立理论模型描述加热过程中薄膜晶粒的行为,可据此进行工艺模拟,对IC制造工艺进行事前评估.根据薄膜晶粒生长的机理,得到晶粒尺寸和温度及时间的关系.由于薄膜晶粒的生长使表面能减小,晶粒的平均尺寸随生长时间增大.对晶粒尺寸的观察证实晶粒大小近似对数正态分布.
通過研究不同澱積溫度下鋁互連薄膜的晶粒形態,研究晶粒的生長規律.建立理論模型描述加熱過程中薄膜晶粒的行為,可據此進行工藝模擬,對IC製造工藝進行事前評估.根據薄膜晶粒生長的機理,得到晶粒呎吋和溫度及時間的關繫.由于薄膜晶粒的生長使錶麵能減小,晶粒的平均呎吋隨生長時間增大.對晶粒呎吋的觀察證實晶粒大小近似對數正態分佈.
통과연구불동정적온도하려호련박막적정립형태,연구정립적생장규률.건립이론모형묘술가열과정중박막정립적행위,가거차진행공예모의,대IC제조공예진행사전평고.근거박막정립생장적궤리,득도정립척촌화온도급시간적관계.유우박막정립적생장사표면능감소,정립적평균척촌수생장시간증대.대정립척촌적관찰증실정립대소근사대수정태분포.
