微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2004年
8期
6-13
,共8页
刘俊岐%刘峰奇%车晓玲%黄秀颀%雷文%王占国
劉俊岐%劉峰奇%車曉玲%黃秀頎%雷文%王佔國
류준기%류봉기%차효령%황수기%뢰문%왕점국
量子级联激光器%注入区%有源区%波导%谐振腔
量子級聯激光器%註入區%有源區%波導%諧振腔
양자급련격광기%주입구%유원구%파도%해진강
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景.本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构.
GaAs基量子級聯激光器的齣現,在器件的設計製作和處理工藝上開闢瞭有意義的前景.本文概述瞭近年來GaAs基量子級聯激光器在波導覈心層、波導以及光學諧振腔方麵設計的原理、進展,併介紹瞭一些新穎的結構.
GaAs기양자급련격광기적출현,재기건적설계제작화처리공예상개벽료유의의적전경.본문개술료근년래GaAs기양자급련격광기재파도핵심층、파도이급광학해진강방면설계적원리、진전,병개소료일사신영적결구.
