电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2005年
2期
421-427
,共7页
张春福%郝跃%周小伟%李培咸%邵波涛
張春福%郝躍%週小偉%李培鹹%邵波濤
장춘복%학약%주소위%리배함%소파도
AlGaN%p-i-n%光电探测器%可见光盲区%太阳盲区
AlGaN%p-i-n%光電探測器%可見光盲區%太暘盲區
AlGaN%p-i-n%광전탐측기%가견광맹구%태양맹구
AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值.分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了AlGaN p-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN/i-AlGaN/n-GaN结构,并对其结构进行了改进,得到了改进的SLS/AlGaN/GaN结构.
AlGaN基光電探測器在軍事高科技和民品市場通訊和成像方麵具有很高的價值.分析瞭AlGaN p-i-n光電探測器的結構對性能的影響,深入闡述瞭AlGaN p-i-n光電探測器製造與設計中所麵臨的深層次問題,併對其工藝和結構性能分析的基礎上特彆介紹瞭p-GaN/i-AlGaN/n-GaN結構,併對其結構進行瞭改進,得到瞭改進的SLS/AlGaN/GaN結構.
AlGaN기광전탐측기재군사고과기화민품시장통신화성상방면구유흔고적개치.분석료AlGaN p-i-n광전탐측기적결구대성능적영향,심입천술료AlGaN p-i-n광전탐측기제조여설계중소면림적심층차문제,병대기공예화결구성능분석적기출상특별개소료p-GaN/i-AlGaN/n-GaN결구,병대기결구진행료개진,득도료개진적SLS/AlGaN/GaN결구.
