固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
4期
545-548,558
,共5页
顾志光%孙钧%郑国祥%龚大卫
顧誌光%孫鈞%鄭國祥%龔大衛
고지광%손균%정국상%공대위
驻波效应%抗反射膜%亚微米、深亚微米光刻
駐波效應%抗反射膜%亞微米、深亞微米光刻
주파효응%항반사막%아미미、심아미미광각
在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%.
在錶麵彊反射膜-多晶硅上進行亞微米光刻時,採用有機BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)工藝,降低瞭晶片錶麵的檯階高度,併有效地抑製瞭駐波效應,穫得良好的光刻圖形,從而使產品良率提高瞭6%～7%.
재표면강반사막-다정규상진행아미미광각시,채용유궤BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)공예,강저료정편표면적태계고도,병유효지억제료주파효응,획득량호적광각도형,종이사산품량솔제고료6%～7%.
