功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
2期
164-168
,共5页
有机场效应晶体管%ITO%聚酰亚胺
有機場效應晶體管%ITO%聚酰亞胺
유궤장효응정체관%ITO%취선아알
报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层.实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3 cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料.为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析.
報道瞭一種OFET,它採用ITO作為源漏電極,聚酰亞胺為絕緣層,CuPc為半導體層.實驗結果錶明,該器件具有明顯的場效應性質,性能較好,載流子遷移率和開關比分彆達2.3×10-3 cm2/V.s、800,錶明ITO是一種閤適的、有前途的p型OFET源漏極材料.為此,本文對由電極材料和半導體材料間形成的接觸電阻對OFET性能影響進行瞭分析.
보도료일충OFET,타채용ITO작위원루전겁,취선아알위절연층,CuPc위반도체층.실험결과표명,해기건구유명현적장효응성질,성능교호,재류자천이솔화개관비분별체2.3×10-3 cm2/V.s、800,표명ITO시일충합괄적、유전도적p형OFET원루겁재료.위차,본문대유전겁재료화반도체재료간형성적접촉전조대OFET성능영향진행료분석.
