基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
기우속도포화적CMOS도상기연지모형
Comprehensive Delay Model for CMOS Inverters Based on Velocity Saturation
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 7期 711-716 ,共6页

    宋任儒%阮刚%梁擎擎%Reinhard Streiter%Thomas Otto%Thomas Gessner

    송임유%원강%량경경%Reinhard Streiter%Thomas Otto%Thomas Gessner

    速度饱和%倒相器%延迟 速度飽和%倒相器%延遲
    속도포화%도상기%연지
    提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好.
    제출료일개신적소척촌CMOS도상기연지모형,타고필료속도포화효응이급비계제적수입신호대연지적영향병급출료도상기쾌수입향응여만수입향응적판거,모형계산결과여SPICEBSIM1모형적모의결과문합득흔호.
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