低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
저능리자속침적제비GaAs:Gd적연구
Study on GaAs∶Gd Prepared by Low Energy Ion Beam Deposit
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2004年 12期 1658-1661 ,共4页

    宋书林%陈诺夫%周剑平%尹志岗%李艳丽%杨少延%刘志凯

    송서림%진낙부%주검평%윤지강%리염려%양소연%류지개

    GaAs∶Gd%X射线衍射%X光电子能谱 GaAs∶Gd%X射線衍射%X光電子能譜
    GaAs∶Gd%X사선연사%X광전자능보
    对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.
    대실온조건하용저능리자속침적득도적GaAs∶Gd양품,차조X사선연사(XRD)화고분변X사선연사(HR-XRD)진행료결구분석,결과표명몰유출현신적연사봉,병차요파곡선적형상여Gd적주입계량밀절상관.운용X광전자능보의대비분석료Gd주입후,츤저중주요원소Ga2p화As3d적화학위이,이급불동계량적양품중주입적Gd4d심능급속박능적변화,병분석료철자성산생적가능원인.
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