CAJ | 학술논문

根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体.根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大.实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N.起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%.考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)/n(Si)范围为5.20～5.30.晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50%～60%为宜.
근거제작La3Ga5SiO14(LGS)정체전광Q개관적수요,생장료가용우제작전광Q개관적LGS정체.근거대량정체생장실험적결과,토론료정체원료순도、래원、정체원료기시조분배비급정체제출량여정체질량적관계,인위Ga2O3적순도화래원대정체질량적영향최대.실제생장광학응용적LGS정체과정중,La2O3순도위5N(혹6N),이SiO2위6N.기시조분배비응선공용점처적배비,즉x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%.고필도생장과정중Ga2O3적휘발,Ga2O3응괄당과량,n(Ga)/n(Si)범위위5.20～5.30.정체제출량여기시조분유관,정체제출량이50%～60%위의.