稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
4期
644-647
,共4页
高国棉%陈长乐%王建元%韩立安%王永仓%宋宙模
高國棉%陳長樂%王建元%韓立安%王永倉%宋宙模
고국면%진장악%왕건원%한립안%왕영창%송주모
LTMO薄膜%电子掺杂%CMR效应%光诱导效应
LTMO薄膜%電子摻雜%CMR效應%光誘導效應
LTMO박막%전자참잡%CMR효응%광유도효응
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
用脈遲激光沉積(PLD)法在LaAlO3單晶襯底上製備瞭VIA族非金屬元素Te摻雜的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射線衍射分析錶明,薄膜具有鈣鈦礦贗立方結構,且沿(012)方嚮擇優生長;電阻-溫度關繫顯示,該材料存在金屬-絕緣體轉變特性和龐磁電阻(CMR)效應;在0.7 T的磁場作用下,薄膜的磁電阻最大值為30.6%,對應的溫度在263 K.而室溫(303 K)磁電阻值為4.8%;擬閤分析錶明,薄膜在低溫區是單磁子散射,在高溫區滿足小極化子輸運模型.在波長為532 nm的綠激光作用下,在253 K,光緻電阻變化率達到最大值33.6%;分析認為這可能是由于光激髮會改變材料中的磁有序,減弱雙交換作用,進而改變電子的輸運性質.
용맥충격광침적(PLD)법재LaAlO3단정츤저상제비료VIA족비금속원소Te참잡적La0.82Te0.18MnO3(LTMO)박막.X사선연사분석표명,박막구유개태광안립방결구,차연(012)방향택우생장;전조-온도관계현시,해재료존재금속-절연체전변특성화방자전조(CMR)효응;재0.7 T적자장작용하,박막적자전조최대치위30.6%,대응적온도재263 K.이실온(303 K)자전조치위4.8%;의합분석표명,박막재저온구시단자자산사,재고온구만족소겁화자수운모형.재파장위532 nm적록격광작용하,재253 K,광치전조변화솔체도최대치33.6%;분석인위저가능시유우광격발회개변재료중적자유서,감약쌍교환작용,진이개변전자적수운성질.
