压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2010年
5期
821-822,829
,共3页
CrSi电阻%激光修调%温度系数
CrSi電阻%激光脩調%溫度繫數
CrSi전조%격광수조%온도계수
该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.
該文分析瞭激光脩調對CrSi薄膜電阻穩定性的影響,穫得瞭對CrSi薄膜電阻進行激光脩調的優化方法.實驗結果錶明,150 ℃儲存48 h,可完全消除激光脩調帶來的影響,使CrSi薄膜電阻溫度繫數降到瞭20×10-6/℃,提高瞭CrSi薄膜電阻網絡的穩定性,從而為研製高性能模擬集成電路打下堅實的基礎.
해문분석료격광수조대CrSi박막전조은정성적영향,획득료대CrSi박막전조진행격광수조적우화방법.실험결과표명,150 ℃저존48 h,가완전소제격광수조대래적영향,사CrSi박막전조온도계수강도료20×10-6/℃,제고료CrSi박막전조망락적은정성,종이위연제고성능모의집성전로타하견실적기출.
