电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2011年
1期
134-137
,共4页
陈达%张玉明%张义门%王悦湖
陳達%張玉明%張義門%王悅湖
진체%장옥명%장의문%왕열호
3C-SiC%碳化%异质外延%生长%Si衬底
3C-SiC%碳化%異質外延%生長%Si襯底
3C-SiC%탄화%이질외연%생장%Si츤저
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200 ℃,生长速度为4 μm/h.对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3 μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好.
利用低壓化學氣相沉積方法在N型Si襯底上異質外延生長3C-SiC薄膜,研究和分析瞭不同碳化工藝和生長工藝對3C-SiC外延層的影響;探討瞭Si襯底3C-SiC異質外延應力的消除機理.通過檯階儀和XRD對不同工藝條件下的外延層質量進行分析,得到最佳工藝條件的碳化溫度為1000 ℃,碳化時間為5 min,生長溫度為1200 ℃,生長速度為4 μm/h.對最佳工藝條件下得到的外延層的檯階儀分析錶明外延層彎麯度僅為5μm/45 mm;而外延層的XRD和AFM分析錶明,3 μm厚度外延層SiC(111)半高寬為0.15°,錶麵粗糙度為15.4nm,錶明外延層結晶質量良好.
이용저압화학기상침적방법재N형Si츤저상이질외연생장3C-SiC박막,연구화분석료불동탄화공예화생장공예대3C-SiC외연층적영향;탐토료Si츤저3C-SiC이질외연응력적소제궤리.통과태계의화XRD대불동공예조건하적외연층질량진행분석,득도최가공예조건적탄화온도위1000 ℃,탄화시간위5 min,생장온도위1200 ℃,생장속도위4 μm/h.대최가공예조건하득도적외연층적태계의분석표명외연층만곡도부위5μm/45 mm;이외연층적XRD화AFM분석표명,3 μm후도외연층SiC(111)반고관위0.15°,표면조조도위15.4nm,표명외연층결정질량량호.
