微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
34-37
,共4页
胡佳俊%陈后鹏%蔡道林%宋志棠%周桂华
鬍佳俊%陳後鵬%蔡道林%宋誌棠%週桂華
호가준%진후붕%채도림%송지당%주계화
带隙基准源%负反馈%电源抑制比%BiCMOS
帶隙基準源%負反饋%電源抑製比%BiCMOS
대극기준원%부반궤%전원억제비%BiCMOS
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路.实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源.设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1 kHz时,电源抑制比为-82.3 dB.
根據帶隙基準的基本原理,結閤含三條支路負反饋的電流源,設計瞭一種高階補償的帶隙基準源電路.實現瞭對溫度的2階補償和3階補償,穫得瞭一種高電源抑製比、低溫漂、不受電源變化影響的電壓基準源.設計採用0.35μm CMOS工藝,倣真結果錶明,在-40℃～125℃溫度範圍內,輸齣電壓的溫度繫數為7.70×10-7/℃,在1 kHz時,電源抑製比為-82.3 dB.
근거대극기준적기본원리,결합함삼조지로부반궤적전류원,설계료일충고계보상적대극기준원전로.실현료대온도적2계보상화3계보상,획득료일충고전원억제비、저온표、불수전원변화영향적전압기준원.설계채용0.35μm CMOS공예,방진결과표명,재-40℃～125℃온도범위내,수출전압적온도계수위7.70×10-7/℃,재1 kHz시,전원억제비위-82.3 dB.
