半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
8期
1553-1557
,共5页
刘渝珍%陈大鹏%王小波%董立军
劉渝珍%陳大鵬%王小波%董立軍
류투진%진대붕%왕소파%동립군
LPCVD%纳米硅镶嵌结构%SiNx薄膜%可见荧光
LPCVD%納米硅鑲嵌結構%SiNx薄膜%可見熒光
LPCVD%납미규양감결구%SiNx박막%가견형광
在3.75eV的激光激发下,利用LPCVD在800～950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中,在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射.通过TEM,IR,XPS等的分析研究表明,文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜.PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关,还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系.
在3.75eV的激光激髮下,利用LPCVD在800～950℃不同溫度下沉積富硅的SiNx薄膜中,在室溫下觀測到1～5箇高彊度可見熒光的髮射.通過TEM,IR,XPS等的分析研究錶明,文中所穫樣品為納米硅鑲嵌結構的a-SiNx:H薄膜.PL峰數目及其各峰的彊弱與生成薄膜過程中反應氣體SiH2Cl2的分解速率、沉積溫度、SiNx生長過程有關,還與薄膜中納米硅的糰簇密度、呎吋大小以及各種不同類型的缺陷態種類和密度有十分重要的關繫.
재3.75eV적격광격발하,이용LPCVD재800～950℃불동온도하침적부규적SiNx박막중,재실온하관측도1～5개고강도가견형광적발사.통과TEM,IR,XPS등적분석연구표명,문중소획양품위납미규양감결구적a-SiNx:H박막.PL봉수목급기각봉적강약여생성박막과정중반응기체SiH2Cl2적분해속솔、침적온도、SiNx생장과정유관,환여박막중납미규적단족밀도、척촌대소이급각충불동류형적결함태충류화밀도유십분중요적관계.
