半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
132-135
,共4页
刘延祥%唐绍裘%夏冠群%程宗权%郑燕兰
劉延祥%唐紹裘%夏冠群%程宗權%鄭燕蘭
류연상%당소구%하관군%정종권%정연란
CH3CSNH2/NH4OH%GaInAsSb%钝化
CH3CSNH2/NH4OH%GaInAsSb%鈍化
CH3CSNH2/NH4OH%GaInAsSb%둔화
引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
引入一種新的低毒化閤物CH3CSNH2/NH 4OH對GaInAsSb化閤物探測器的錶麵進行瞭鈍化處理,可使其暗電流降低一箇數量級,動態電阻增大25倍多,且鈍化83天後保持良好的鈍化效果,取得瞭與(NH4)2S溶液一樣理想的鈍化效果.併採用AES和XPS對鈍化前後的GaInAsSb材料進行瞭分析.
인입일충신적저독화합물CH3CSNH2/NH 4OH대GaInAsSb화합물탐측기적표면진행료둔화처리,가사기암전류강저일개수량급,동태전조증대25배다,차둔화83천후보지량호적둔화효과,취득료여(NH4)2S용액일양이상적둔화효과.병채용AES화XPS대둔화전후적GaInAsSb재료진행료분석.
