电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
2期
20-23
,共4页
赵银平%丁瑞钦%朱慧群%胡怡%王忆%汪河洲
趙銀平%丁瑞欽%硃慧群%鬍怡%王憶%汪河洲
조은평%정서흠%주혜군%호이%왕억%왕하주
半导体技术%射频磁控反应溅射%ZnO外延薄膜%光致发光
半導體技術%射頻磁控反應濺射%ZnO外延薄膜%光緻髮光
반도체기술%사빈자공반응천사%ZnO외연박막%광치발광
利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜.通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.研究表明,在200 ℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射.
利用射頻磁控反應濺射技術生長齣具有高度晶麵(0002)取嚮的ZnO外延薄膜.通過AFM、XRD、吸收光譜和熒光光譜等測試手段,分彆研究分析瞭不同襯底、不同濺射氣氛和退火對ZnO薄膜結構及光學性質的影響.研究錶明,在200 ℃低溫生長的硅基ZnO薄膜具有幾百納米的氧化鋅準六角結構外形;噹氧氬比為4:1(質量流量比)時,吸收譜激子峰最佳;退火後,激子峰(363 nm)加彊,同時齣現瞭402 nm的本徵氧空位紫光髮射.
이용사빈자공반응천사기술생장출구유고도정면(0002)취향적ZnO외연박막.통과AFM、XRD、흡수광보화형광광보등측시수단,분별연구분석료불동츤저、불동천사기분화퇴화대ZnO박막결구급광학성질적영향.연구표명,재200 ℃저온생장적규기ZnO박막구유궤백납미적양화자준륙각결구외형;당양아비위4:1(질량류량비)시,흡수보격자봉최가;퇴화후,격자봉(363 nm)가강,동시출현료402 nm적본정양공위자광발사.
