氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜
안화Si기Ga2O3/In제비GaN박막
Formation of GaN film by ammoniating Ga2O3 film on in layer deposited on Si(111) substrates
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2007年 2期 231-233 ,共3页

    王福学%薛成山%庄惠照%张晓凯%艾玉杰%孙丽丽%杨兆柱%李红

    왕복학%설성산%장혜조%장효개%애옥걸%손려려%양조주%리홍

    GaN%Ga2O3/In%氨化%磁控溅射 GaN%Ga2O3/In%氨化%磁控濺射
    GaN%Ga2O3/In%안화%자공천사
    研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
    연구료Ga2O3/In 막반응자조장제비GaN박막,재장Ga2O3/In막재고순안기기분중안화반응득도GaN박막,용X사선연사(XRD),부리협홍외흡수(FTIR),소묘전경(SEM),원자력현미경(AFM),투사전경(TEM)대양품진행결구,형모적분석.측시결과표명:용차방법득도료륙방섬자광결구적GaN다정막,차900℃시성막적질량최호.
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