有机硅材料
有機硅材料
유궤규재료
SILICONE MATERIAL
2010年
3期
145-147
,共3页
李文华%王军%宋永才%唐云%谢征芳
李文華%王軍%宋永纔%唐雲%謝徵芳
리문화%왕군%송영재%당운%사정방
SiBNC陶瓷%聚硼硅氮烷%热裂解
SiBNC陶瓷%聚硼硅氮烷%熱裂解
SiBNC도자%취붕규담완%열렬해
采用TGA、IR、 29Si NMR对以三氯化硼、甲基氢二氯硅烷、六甲基二硅氮烷为原料合成的SiBNC陶瓷先驱体--聚硼硅氮烷(PBSZ)的裂解过程进行分析.结果表明,PBSZ在N2中的裂解过程可分为四个阶段:第一阶段为240 ℃以下,没有明显的增重和失重;第二阶段为240～400 ℃,质量损失率约30%,主要是小分子的挥发和转胺反应所致;第三阶段为400～600 ℃,失重减缓,可能发生Si-H和N-H的脱氢耦合反应;第四阶段为600～1 000 ℃,有少量失重,无机化逐步趋于完全.
採用TGA、IR、 29Si NMR對以三氯化硼、甲基氫二氯硅烷、六甲基二硅氮烷為原料閤成的SiBNC陶瓷先驅體--聚硼硅氮烷(PBSZ)的裂解過程進行分析.結果錶明,PBSZ在N2中的裂解過程可分為四箇階段:第一階段為240 ℃以下,沒有明顯的增重和失重;第二階段為240～400 ℃,質量損失率約30%,主要是小分子的揮髮和轉胺反應所緻;第三階段為400～600 ℃,失重減緩,可能髮生Si-H和N-H的脫氫耦閤反應;第四階段為600～1 000 ℃,有少量失重,無機化逐步趨于完全.
채용TGA、IR、 29Si NMR대이삼록화붕、갑기경이록규완、륙갑기이규담완위원료합성적SiBNC도자선구체--취붕규담완(PBSZ)적렬해과정진행분석.결과표명,PBSZ재N2중적렬해과정가분위사개계단:제일계단위240 ℃이하,몰유명현적증중화실중;제이계단위240～400 ℃,질량손실솔약30%,주요시소분자적휘발화전알반응소치;제삼계단위400～600 ℃,실중감완,가능발생Si-H화N-H적탈경우합반응;제사계단위600～1 000 ℃,유소량실중,무궤화축보추우완전.
