半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
11期
880-884
,共5页
刘兴杰%张滨海%王德峻%从羽奇%王家楫
劉興傑%張濱海%王德峻%從羽奇%王傢楫
류흥걸%장빈해%왕덕준%종우기%왕가즙
封装%铜线键合%微结构%金属间化合物%扩散
封裝%銅線鍵閤%微結構%金屬間化閤物%擴散
봉장%동선건합%미결구%금속간화합물%확산
由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用.铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/A1界面IMC的生长行为及其微结构.文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构.
由于銅線具有較高的熱導率、卓越的電學性能以及較低的成本,被普遍認為將逐漸代替傳統的金線而在IC封裝的鍵閤工藝中得到廣汎的應用.銅線鍵閤工藝中Cu/Al界麵金屬間化閤物(IMC)與金線鍵閤的Au/Al IMC生長情況有很大差彆,本文針對毬銲鍵閤中鍵閤點的Cu/Al界麵,將金屬間化閤物生長理論與分析手段相結閤,研究瞭Cu/A1界麵IMC的生長行為及其微結構.文中採用SEM測試方法,觀察瞭IMC的形貌特點,測量併得到瞭IMC厚度平方正比于熱處理時間的關繫,計算得到瞭生長速率和活化能數值,併採用TEM,EDS等測試手段,進一步研究瞭IMC界麵的微結構、成分分佈及其金相結構.
유우동선구유교고적열도솔、탁월적전학성능이급교저적성본,피보편인위장축점대체전통적금선이재IC봉장적건합공예중득도엄범적응용.동선건합공예중Cu/Al계면금속간화합물(IMC)여금선건합적Au/Al IMC생장정황유흔대차별,본문침대구한건합중건합점적Cu/Al계면,장금속간화합물생장이론여분석수단상결합,연구료Cu/A1계면IMC적생장행위급기미결구.문중채용SEM측시방법,관찰료IMC적형모특점,측량병득도료IMC후도평방정비우열처리시간적관계,계산득도료생장속솔화활화능수치,병채용TEM,EDS등측시수단,진일보연구료IMC계면적미결구、성분분포급기금상결구.
