半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
288-291
,共4页
陈光华%蔡让岐%宋雪梅%贺德衍
陳光華%蔡讓岐%宋雪梅%賀德衍
진광화%채양기%송설매%하덕연
多孔硅%金刚石薄膜%场电子发射
多孔硅%金剛石薄膜%場電子髮射
다공규%금강석박막%장전자발사
研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(＜1V/μm),发射电流增大(＞90mA/cm2),场发射性能稳定,并对这种场发射特性做出了理论解释.
研究瞭多孔硅襯底微波CVD金剛石薄膜的製備工藝及其場電子髮射特性.以多孔硅作為生長金剛石突起陣列的模闆,生長齣帶多微尖的微晶金剛石晶粒,使場電子髮射閾值下降(＜1V/μm),髮射電流增大(＞90mA/cm2),場髮射性能穩定,併對這種場髮射特性做齣瞭理論解釋.
연구료다공규츤저미파CVD금강석박막적제비공예급기장전자발사특성.이다공규작위생장금강석돌기진렬적모판,생장출대다미첨적미정금강석정립,사장전자발사역치하강(＜1V/μm),발사전류증대(＞90mA/cm2),장발사성능은정,병대저충장발사특성주출료이론해석.
