电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2006年
6期
126-130
,共5页
千金%刘文华%范子超%宋强
韆金%劉文華%範子超%宋彊
천금%류문화%범자초%송강
电力半导体器件%逆变器%软件%仿真/集成门极换流晶闸管
電力半導體器件%逆變器%軟件%倣真/集成門極換流晶閘管
전력반도체기건%역변기%연건%방진/집성문겁환류정갑관
集成门极换流晶闸管(Integrated Gate Commutated Thyristors,简称IGCT)以其优越的性能,在中、高压大功率变换器领域得到越来越广泛的应用.本文在SIMPLORER仿真平台下建立了IGCT器件的功能仿真模型;介绍了建模原理及模型结构.根据5SHY35L4510型IGCT给出的主要参数进行了电路仿真.根据仿真结果,分析了电路中各参数对器件开关瞬态过程电压、电流的影响.
集成門極換流晶閘管(Integrated Gate Commutated Thyristors,簡稱IGCT)以其優越的性能,在中、高壓大功率變換器領域得到越來越廣汎的應用.本文在SIMPLORER倣真平檯下建立瞭IGCT器件的功能倣真模型;介紹瞭建模原理及模型結構.根據5SHY35L4510型IGCT給齣的主要參數進行瞭電路倣真.根據倣真結果,分析瞭電路中各參數對器件開關瞬態過程電壓、電流的影響.
집성문겁환류정갑관(Integrated Gate Commutated Thyristors,간칭IGCT)이기우월적성능,재중、고압대공솔변환기영역득도월래월엄범적응용.본문재SIMPLORER방진평태하건립료IGCT기건적공능방진모형;개소료건모원리급모형결구.근거5SHY35L4510형IGCT급출적주요삼수진행료전로방진.근거방진결과,분석료전로중각삼수대기건개관순태과정전압、전류적영향.
