物理学报
物理學報
물이학보
2006年
10期
5409-5412
,共4页
倪赛力%常永勤%龙毅%叶荣昌
倪賽力%常永勤%龍毅%葉榮昌
예새력%상영근%룡의%협영창
氧化锌%场发射%非取向
氧化鋅%場髮射%非取嚮
양화자%장발사%비취향
采用简单物理气相沉积法制备出取向和非取向的氧化锌纳米棒,他们的场致电子发射性能测量结果表明,ZnO纳米棒具有较好的场发射性能,但是高度取向的ZnO纳米棒阵列并不利于获得高的场致电子发射电流密度.这可能是由于高密度ZnO纳米棒之间具有较高的屏蔽效应,降低了ZnO纳米棒阵列的场放大因子,从而影响了其场发射性能.相反,非取向ZnO纳米棒由于相互之间的屏蔽效应比较弱,而且表面存在容易成为发射中心的微小突起,表现出较好的场发射效果.这些结果不仅有助于加深我们对准一维纳米材料场致电子发射性能的理解,也为未来场发射电子器件的实际应用提供了可靠的依据.
採用簡單物理氣相沉積法製備齣取嚮和非取嚮的氧化鋅納米棒,他們的場緻電子髮射性能測量結果錶明,ZnO納米棒具有較好的場髮射性能,但是高度取嚮的ZnO納米棒陣列併不利于穫得高的場緻電子髮射電流密度.這可能是由于高密度ZnO納米棒之間具有較高的屏蔽效應,降低瞭ZnO納米棒陣列的場放大因子,從而影響瞭其場髮射性能.相反,非取嚮ZnO納米棒由于相互之間的屏蔽效應比較弱,而且錶麵存在容易成為髮射中心的微小突起,錶現齣較好的場髮射效果.這些結果不僅有助于加深我們對準一維納米材料場緻電子髮射性能的理解,也為未來場髮射電子器件的實際應用提供瞭可靠的依據.
채용간단물리기상침적법제비출취향화비취향적양화자납미봉,타문적장치전자발사성능측량결과표명,ZnO납미봉구유교호적장발사성능,단시고도취향적ZnO납미봉진렬병불리우획득고적장치전자발사전류밀도.저가능시유우고밀도ZnO납미봉지간구유교고적병폐효응,강저료ZnO납미봉진렬적장방대인자,종이영향료기장발사성능.상반,비취향ZnO납미봉유우상호지간적병폐효응비교약,이차표면존재용역성위발사중심적미소돌기,표현출교호적장발사효과.저사결과불부유조우가심아문대준일유납미재료장치전자발사성능적리해,야위미래장발사전자기건적실제응용제공료가고적의거.
